蓋世汽車訊 11月6日，三星電子（Samsung Electronics）宣布已開始量產(chǎn)其具有業(yè)界最高位密度的1 Tb三級(jí)單元（TLC）第八代垂直NAND（V-NAND）。該產(chǎn)品還具有目前最高的存儲(chǔ)容量，可為全球下一代企業(yè)服務(wù)器系統(tǒng)提供更大的存儲(chǔ)空間。

　　三星電子閃存產(chǎn)品和技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hur表示：“隨著市場(chǎng)對(duì)更密集、更大容量存儲(chǔ)的需求不斷上漲，V-NAND的層數(shù)變得越來越高。三星采用其先進(jìn)的3D縮放技術(shù)來減少表面積和高度，同時(shí)避免通常在按比例縮小時(shí)發(fā)生的單元間干擾。我們的第八代V-NAND將有助于滿足快速增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求，并使我們能夠更好地提供更多差異化的產(chǎn)品和解決方案，為未來存儲(chǔ)創(chuàng)新奠定基礎(chǔ)。”

　　通過顯著提高單片晶圓的比特生產(chǎn)率，三星實(shí)現(xiàn)了業(yè)界最高的比特密度�；�于最新的NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)Toggle DDR 5.0接口，三星的第八代V-NAND具有高達(dá)2.4 Gbps的輸入和輸出（I/O）速度，相較于上一代提升了1.2倍。因此新的V-NAND能夠滿足PCIe 4.0以及更高版本PCIe 5.0的性能要求。

　　第八代V-NAND有望為存儲(chǔ)配置奠定基礎(chǔ)，擴(kuò)展下一代企業(yè)服務(wù)器的存儲(chǔ)容量，同時(shí)將其應(yīng)用擴(kuò)展到可靠性尤為關(guān)鍵的汽車市場(chǎng)。